Новая ReRAM память для компьютеров сотрёт границу между RAM и SSD

Два очень крупных игрока на компьютерном рынке, HP и Samsung сосредоточились на разработке, которая по моим прикидкам должна будет перевернуть нынешнюю компьютерную индустрию, причём не только hardware но и software.

В далеком 1971 году профессор Леон Чуа разработал теоретические основы нового пассивного элемента электросхемотехники, который мог стать основой для всех электрических схем и использоваться наряду с сопротивлением, конденсатором и индуктивностью. Но на практике реализовать эту идею не удавалось вплоть до 2008 года, когда инженеры компании Hewlett-Packard (HP) впервые сообщили о создании на основе диоксида титана работающего мемристора. Наиболее важной характеристикой мемристора является способность менять свое сопротивление и запоминать свое состояние в течение долгого промежутка времени.
А теперь:

Компания HP предрекает "смерть" флэш-памяти и SSD-дисков на ее основе в 2013 году
К 2015 году эта технология сделает устаревшей память типов DRAM и SRAM, которая используется в современный компьютерах в качестве оперативной памяти.
Эта новая технология называется мемристором (memristor). Физически мемристоры представляют собой проводники, изготовленные из диоксида титана, шириной всего в 150 атомов. Когда через эти проводники протекает электрический ток определенной силы в нужном направлении, это приводит к изменению сопротивления всего проводника. И это свойство делает мемристор ячейкой памяти, для записи в нее 1 или 0 требуется только пропустить сквозь него электрический ток в определенном направлении. Прочитать записанную в мемристор информацию можно просто измерив его сопротивление.

Подобно флэш-памяти, мемристоры могут хранить информацию, вообще не потребляя энергии. Производство мемристоров несложно и легко реализуемо при использовании современных технологий производства компьютерных чипов. И развитие области использования мемристоров, согласно информации от компании HP, давно прошло стадию научного проекта, теперь это — коммерческий продукт.

Преимущества мемристоров по сравнению с флэш-памятью огромны, время чтения информации из одной ячейки составляет 10 наносекунд, а время стирания и записи — 0.1 наносекунды. Данные, записанные в мемристоры, могут храниться годами, а каждая ячейка, согласно расчетам, без потери информации сможет выдержать 1,000,000,000,000 циклов стирания-записи. Плотность хранения данных в мемристорных микросхемах памяти увеличится по сравнению с флэш-памятью минимум в два раза, скорость — в 10 раз, а расход энергии уменьшится в 10 раз. И это при стоимости, такой же, как и стоимость флэш-памяти.
Новая память, ReRAM (Resistive Random Access Memory), согласно планам HP, появится на рынке уже к 2013 году. Немного позже на рынке станут появляться образцы мемристорной памяти, заменяющие память DRAM и SRAM, что позволит значительно ускорить процесс загрузки компьютеров.

И достижения корейцев

Компания Samsung разработала новую технологию памяти ReRAM, которая может выдержать триллион циклов перезаписи.
Новая передовая технология памяти ReRAM использует в качестве материала, изменяющего сопротивление, асимметричную двухслойную пленку Ta2O5-x/TaO2-x в отличие от других технологий, в которых применяется пленка из материала Ta2O5.

Использование двух слоев разных материалов позволяет ограничить диапазон изменения удельного сопротивления материала. Так же для изменения сопротивления нового материала происходит при существенно меньшем значении протекающего через него электрического тока. Это, в свою очередь, позволяет уменьшить расход энергии, увеличить число циклов перезаписи до триллиона раз и обеспечивает высокую скорость записи информации в память нового типа.
Естественно, имея ресурс в миллион раз превышающий ресурс современной flash-памяти, новая память может стать основой для быстрых и недорогих устройств хранения информации большой емкости. А высокая скорость записи информации, составляющая всего 10 нс, позволяет использовать эту перспективнейшую технологию вместо обычной динамической оперативной памяти

Представляете, что будет если оперативка не будет стираться при выключении компа? В следующий раз он будет запускаться в том же самом состоянии. Мгновенно. Ну или за считанные секунды.
А если представить, что область хранения программы и область её выполнения одна и та же, то возникает вопрос, а надо ли "запускать" программы? Может пускай она изначально распространяется в развёрнутом, инициализированом виде? Ну ладно, распространяется незапущенная, но будучи однократно проинициализированна, в дальшейшем храниться в памяти уже развёрнутой. Тогда запуск программ будет просто мгновенным.
Правда прийдётся капитально пересмотреть современный подход к программированию. И внимательней следить за использованием памяти. Операционным системам необходимо будет пристально следить за "мусором", для чего понадобится продвинутый менеджер-планировшик для оперативки. Хотя... если её будут сотни и тысячи гигабайт, может быть этот вопрос будет не так актуален? :D